Thermal Emission Microscope System Next Detail 热发射显微镜系统 Lock-in Thermography，让失效分析变得更简单！ Next -Real Thermal lockin锁相热成像技术 温度分辨率：<0.0001℃ 光学分辨率：2μm 最快定位时间：<1 S 低侦测功耗 : <1μW Real Thermal真实温度测量 像素级热发射率校正，分析微器件的真实热分布 像素级校正发射率，最高5um分辨率，用于微观热分布 应用于芯片结温测量，MEMS、微医疗器件、光电器件温度分布研究 Next - Optotherm China 简介 Next - APP LAB Optotherm 是一家成立于美国宾夕法尼亚洲的红外热分析系统的创新设计和制造公司，其拥有超过二十年生产和校准经验，Optotherm设计优化的微观透镜，具有非常高的空间分辨率，测量灵敏度和理想的工作距离， 自主开发核心系统软件Thermalyze，包含Lock in Thermography 和 Lock in Photometry功能，提供直观的用户界面，以及强大的功能，可以极大的确保其红外系统的最高质量和性能。 其开发的热发射显微镜系统、热成像显微镜系统、微光显微镜系统，经过多年迭代，目前已经是第七代系统，性能卓越，可靠稳定，在全球广泛使用，并深受客户喜爱。 A tool you'll never want to miss! Leaderwe是一家专注于电子、半导体、材料等领域的分析检测设备供应的技术型公司，与Optotherm的合作始于2014年，并于2016年联合在深圳设立应用实验室，作为中国区总代理，全面负责中国区的销售推广，技术支持，服务演示等相关工作。 E-mail：info@leaderwe.com CALL：4009-662-331

Optotherm Sentris IC热发射显微镜系统

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Sentris 半导体器件故障分析红外热分析显微镜

详情参考：http://leaderwe.com/project/optotherm-thermal-emmi/

从2002年开始开发高性能红外探测器，镜头

探测器NETD最低20mk，镜头最高2um光学分辨率

配合电测，XRAY等对样品作无损分析

可分析封装芯片及裸芯片

对短路及漏电流等分析效果佳

堆叠芯片的缺陷深度分析

0.0001℃温度分辨率，可探测最低1 uW级功耗

其他功能如真实温度测量，热的动态分析，热阻计算

价格可承受

 

Optotherm Sentris PCB电路板缺陷定位系统

立特为智能-Sentris PCB-7 copy

Optotherm Sentris PCB 电路板缺陷定位系统

详情参考：http://leaderwe.com/project/optotherm-el/

 Optotherm Sentris PCB 专为PCB/FPC/PCBA等缺陷定位设计；

 适用于常见的短路，微短路，离子迁移，CAF/IST/RST/HAST等

无需编程，无需熟悉原理图，无需丰富经验

节约定位时间，通常一分钟左右即可定位

无损，为下一步CT或切片指明方向

Optotherm Sentris RD科研级红外热分析显微镜

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Sentris RD科研级红外热成像显微镜

详情参考：http://leaderwe.com/project/optotherm-microscope-1/

使用像素级的发射率表来做真实温度映射

最高5um的XY方向分辨

使用框选的区域或形状来统计分析热分布

用录像或热序列的形式分析和记录

温度曲线绘图和图表

温度序列，录像，数据分析

可测试芯片结温，热阻，

MEMS、光电器件、微型医疗器件等微观器件热分布

Lock-in Thermography锁相热成像

Lock-in Thermography锁相热成像

锁相技术和高端红外技术相结合

NETD<35mK

5um分辨率+0.001℃分辨率相结合

侦测低于5uw功耗的缺陷及uA及漏电流

可以实现缺陷XY以及Z方向的定位

可以定位低ESD击伤，栓锁，金属层内短路等各种缺陷

性能远优于液晶热点定位，常和Xray,Decap,EMMI、OBIRCH等技术一起使用；

lockin锁相热成像技术

Real Thermal微米级真实热分布

真实温度映射

微小器件由不同材质组成，不同材质，不同粗糙度等都影响发射率；

图像上的大部分对比度通常是由于发射率变化而不是温度变化引起；

微米级的发射率校正尤为重要,否则看到的就是一团红的虚假热分布；

Emissivity Tables软件工具可以自动创建样品的像素级发射率图；

通过将辐射率图应用于热图像，可在设备上的任何点获得准确的温度；

结合Macro,80um，20um,5um镜头，可获取微米级真实热分布。

而MEMS气体传感器由于其体积小（mm级），传感器需要自加热到一定温度后，其传感器的精度才能达到最高，这就要求在研发和测试过程中对MEMS气体传感器的电阻丝温度测量，需要使用红外热成像显微镜，如图电阻丝只有几十微米

Hot Spot 故障热点定位

Hot Spot热点侦测

PCBA,芯片器件（封装/Die）缺陷常以热点形式出现；

Hot Spot 热点定位只需给样品上电；

一次点击或几次点击热点即会呈现；

可调用XRAY，实物图和热点图进行叠加分析；

短路，漏电流分钟经常一分钟内定位；

真正简单，易用，强大；

lockin-ic

Defect Depth缺陷深度检测

缺陷深度检测

三维封装（TSV, SiP）器件的复杂性及堆叠数量增加使确定故障深度变得具有挑战，

Sentris提供了经过验证的非破坏性技术，通过Lock-in Thermography定位故障深度，

锁相热成像技术幅位用来定位XY方向，相位用来定位Z方向（时间/周期）

通过对应的相位角，可以换算出大致的缺陷深度或所在层数

3D Sip 缺陷深度检测

MBC标准板比较功能

Model Board Comparison (MBC)

Model Board Comparison（MBC）标准板比较功能；

可建立Gold sample上电产生热量的整个过程，

再以样品发热的过程与之进行比较，找出异常点

可以简单快速的找出PCBA系统级缺陷

提升返修成功率减少报废PCBA

Model Board Comparison (MBC)

Optotherm 红外热发射显微镜 (Sentris ,Micro,EL)演示视频

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Optotherm Sentris IC 芯片级热发射定位系统

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Optotherm Sentris PCB 电路板缺陷定位系统

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Optotherm Micro像素级发射率校正级真实温度测量