Optotherm Systems(Sentris IC,Sentris PCB,Sentris RD) Demo Video
Optotherm Sentris IC锁相热成像快速定位热点等缺陷
Optotherm Sentris PCB定位PCB,FPC,substrate的微短路,离子迁移 CAF等
Optotherm Sentris RD 像素级发射率校正级真实温度测量
详情参考:http://leaderwe.com/project/optotherm-thermal-emmi/
高灵敏度的锁相热成像缺陷定位
配合电测,XRAY等对样品作无损分析
选配不同镜头,可分析封装芯片及裸芯片
对短路及漏电流等分析效果佳
堆叠芯片的缺陷深度分析
0.001℃温度分辨率,5um定位分辨率,可探测 uW级功耗
其他功能如真实温度测量,热的动态分析,热阻计算
价格可承受
详情参考:http://leaderwe.com/project/optotherm-el/
Optotherm EL 专为PCBA热分布及故障定位设计;
PCBA热分布分析,动态热分析;
Gold sample 建立MBC比对,定位缺陷点 ;
无需编程,特别熟悉原理图,快速定位缺陷,
产线返修,客户终端不良品快速返修;
节约维修时间,降低产品报废率
详情参考:http://leaderwe.com/project/optotherm-microscope-1/
使用像素级的发射率表来做真实温度映射
最高5um的XY方向分辨
使用框选的区域或形状来统计分析热分布
用录像或热序列的形式分析和记录
温度曲线绘图和图表
温度序列,录像,数据分析
可测试微米级MEMS、光电器件、微型医疗器件等微观器件
锁相技术和高分辨外技术相结合
5um分辨率+0.001℃分辨率相结合
侦测低于100uw功耗的缺陷及uA及漏电流
可以实现缺陷XY以及Z方向的定位
可以定位低ESD击伤,栓锁,金属层内短路等各种缺陷
性能远优于液晶热点定位,常和Xray,Decap,EMMI、OBIRCH等技术一起使用;
微小器件由不同材质组成,不同材质,不同粗糙度等都影响发射率;
图像上的大部分对比度通常是由于发射率变化而不是温度变化引起;
微米级的发射率校正尤为重要,否则看到的就是一团红的虚假热分布;
Emissivity Tables软件工具可以自动创建样品的像素级发射率图;
通过将辐射率图应用于热图像,可在设备上的任何点获得准确的温度;
结合Macro,80um,20um,5um镜头,可获取微米级真实热分布。
PCBA,芯片器件(封装/Die)缺陷常以热点形式出现;
Hot Spot 热点定位只需给样品上电;
一次点击或几次点击热点即会呈现;
可调用XRAY,实物图和热点图进行叠加分析;
短路,漏电流分钟经常一分钟内定位;
真正简单,易用,强大;
三维封装(TSV, SiP)器件的复杂性及堆叠数量增加使确定故障深度变得具有挑战,
Sentris提供了经过验证的非破坏性技术,通过Lock-in Thermography定位故障深度,
锁相热成像技术幅位用来定位XY方向,相位用来定位Z方向(时间/周期)
通过对应的相位角,可以换算出大致的缺陷深度或所在层数
Model Board Comparison(MBC)标准板比较功能;
可建立Gold sample上电产生热量的整个过程,
再以样品发热的过程与之进行比较,找出异常点
可以简单快速的找出PCBA系统级缺陷
提升返修成功率减少报废PCBA
Optotherm Systems(Sentris IC,Sentris PCB,Sentris RD) Demo Video
Optotherm Sentris IC锁相热成像快速定位热点等缺陷
Optotherm Sentris PCB定位PCB,FPC,substrate的微短路,离子迁移 CAF等
Optotherm Sentris RD 像素级发射率校正级真实温度测量