真实辐射温度测量

真实辐射温度测量

当对半导体器件进行成像时，图像上的大部分对比度通常是由于发射率变化而不是温度变化引起的。测量真实温度需要根据以下步骤补偿这些发射率变化。

首先，将样品放置在热台上加热到一个恒温并保持一定时间，使其温度得到精确和完全一致。达到稳定的温度后，使用Emissivity Tables 软件工具自动创建设备的发射率图。通过将发射率图应用于热图像，可以在设备上的任何点获得准确的温度。