Thermal Emission Microscope System Next Detail 热发射显微镜系统 Lock-in Thermography，让失效分析变得更简单！ Next -Real Thermal lockin锁相热成像技术 温度分辨率：<0.0001℃ 光学分辨率：2μm 最快定位时间：<1 S 低侦测功耗 : <1μW Real Thermal真实温度测量 像素级热发射率校正，分析微器件的真实热分布 像素级校正发射率，最高5um分辨率，用于微观热分布 应用于芯片结温测量，MEMS、微医疗器件、光电器件温度分布研究 Next - Optotherm China 简介 Next - APP LAB Optotherm 是一家成立于美国宾夕法尼亚洲的红外热分析系统的创新设计和制造公司，其拥有超过二十年生产和校准经验，Optotherm设计优化的微观透镜，具有非常高的空间分辨率，测量灵敏度和理想的工作距离， 自主开发核心系统软件Thermalyze，包含Lock in Thermography 和 Lock in Photometry功能，提供直观的用户界面，以及强大的功能，可以极大的确保其红外系统的最高质量和性能。 其开发的热发射显微镜系统、热成像显微镜系统、微光显微镜系统，经过多年迭代，目前已经是第七代系统，性能卓越，可靠稳定，在全球广泛使用，并深受客户喜爱。 A tool you'll never want to miss! Leaderwe是一家专注于电子、半导体、材料等领域的分析检测设备供应的技术型公司，与Optotherm的合作始于2014年，并于2016年联合在深圳设立应用实验室，作为中国区总代理，全面负责中国区的销售推广，技术支持，服务演示等相关工作。 E-mail：info@leaderwe.com CALL：4009-662-331

热发射显微镜系统(Thermal Emission microscopy system)，是半导体失效分析和缺陷定位的常用的三大手段之一（EMMI,THERMAL,OBIRCH）,是通过接收故障点产生的热辐射异常来定位故障点(热点/Hot Spot)位置。

而OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统,标配LOCK IN THERMOGRAPHY锁相热成像技术，将锁相技术和热成像技术有机结合，获得超过1mk以上的温度分辨率，对uA级漏电流或微短路等导致的缺陷，提供了非常好的解决方案。

Thermal EMMI 在电子及半导体行业应用，行业专家一刀博士有生动的描述，thermal 的应用http://bbs.elecfans.com/jishu_920621_1_1.html.

1. 它的应用非常广泛，去封装的芯片分析，未去封装的芯片分析，电容，FPC,甚至小尺寸的电路板分析（PCB、PCBA）,这也就让你可以在对样品的不同阶段都可以使用thermal技术进行分析，如下图示例，样品电路板漏电定位到某QFN封装器件漏电，将该器件拆下后发现漏电改善，对该器件焊引线出来，未开封定位为某引脚，开封后扎针上电再做分析，进一步确认为晶圆某引线位置漏电导致，如有需要可接着做SEM,FIB等分析。 leo.

未开封器件漏电分析

未开封器件分析

lockin-ic开封器件分析

开封器件分析

2. 它能侦测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏电，低阻抗短路，ES击伤，闩锁效应点，金属层底部短路等等，而电容的漏电和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏电，微短路等也能够精确定位

lock-in锁相分析

lock-in锁相分析

开封芯片漏电分析

开封芯片漏电分析

GAN-SIC器件

GAN-SIC器件

3，它是无损分析：作为日常的失效分析，往往样品量稀少，这就要求失效分析技术最好是无损的，而对于某些例如陶瓷电容和FPC的缺陷，虽然电测能测出存在缺陷，但是对具体缺陷位置，市场上的无损分析如XRAY或超声波，却很难进行定位，只能通过对样品进行破坏性切片分析，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 技术，你需要的只是给样品上电，就可以对上述两种缺陷进行定位

无标题

FPC缺陷分析

电容漏电分析

电容缺陷分析

4,锁相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用锁相技术，将温度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以侦测uA级漏电流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点侦测法（0.1℃分辨率，mA级漏电流热点）

锁相热成像定位

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，提供了一种快速探测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示出缺陷的位置，在半导体领域

结温测量

在集成电路操作期间，内部结自加热导致接合处的热量集中。器件中的峰值温度处于接合处本身，并且热从接合部向外传导到封装中。因此，器件操作期间的精确结温测量是热表征的组成部分。

贴附评估

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热分析工具（如 图像序列分析）可用于评估样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统作为一台专业为缺陷定位的系统，专为电子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN技术，使用LWIR/MWIR镜头，仍能将将温度分辨率提升到最高0.0001℃（1mK），同时光学分辨率最高达到2um,尤其其软件系统经过多年的优化，具有非常易用和实用，以下是OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统分析过程的说明视频

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LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作为Optotherm公司中国代表，在深圳设立optotherm红外热分析应用实验室，负责该设备的演示和销售，如有相关应用，可提供免费评估测试服务。

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